ClO~4^-在聚并苯分子表面的吸附行为及其电子性质

采用量子化学CNDO/2法,从理论上探讨了ClO~4^-在聚并苯表面的吸附行为。ClO~4^-在聚并苯分子中C=C双键、C-C单键中点上方为稳定吸附位,前者吸附能最大。在其它位置吸附的ClO~4^-极易向该点迁移。EHMO-CO能带结构计算指出ClO~4^-掺杂聚并苯中,ClO~4^-处在洞位、双键桥位及氢键位时,体系的导电性能较好,而作为电极材料,洞位可能是吸附与脱附的最佳位置。