HX体系电子对内、对间相关研究

在6-311+G^*基组水平上用CISD（configurationinteractionwithsinglyanddoublyexcitedconfigurations)方法研究HX(X=Li-F,HBe)体系电子对内、对间的相关能。计算结果表明不同元素形成的HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系，其价层电子对内、对间相关能的变化较大，它们之间存在着轨道差别，不宜将其相关贡献归为简单的常数。在使用相同理论方法和相同质量基组的前提下，电子数将直接影响到电子对间相关能的大小。对于多电子体系，电子对间相关在总相关中占有优势，若将其忽略会引起较大误差。