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ISSN: 2333-9721
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化学学报  2000 

SiBr~4及其不同离子态的电子结构研究:紫外光电子能谱(PES)和理论研究

, PP. 1645-1648

Keywords: 溴化硅,电子结构,紫外光电子谱法,电离能

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Abstract:

本文详细报道了SiBr~4的紫外光电子能谱(PES)及该化合物不同离子态(X^2T~2,A^2T~1,B^2E,C^2T~2等)的电子结构和性质。实验测得对应基态离子态的绝热电离能I~a(X^2T~2←X^1A~1)=10.532eV,X^2T~2离子态的振动频率为(450±30)cm^-^1。结合理论计算对紫外光电子能谱进行了指认和分析,结果表明X^2T~2,A~2T~1两个离子态存在明显的自旋-轨道耦合作用,自旋-轨道耦合导致的分裂分别为0.27ev和0.53eV。此外,不同计算方法比较显示外层格林函数方法计算得到电离能与实验吻合很好。

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