硅烯及取代硅烯与饱和键插入反应的量子化学研究

用量子化学的密度泛函理论(DFT)在6-311G水平上对硅烯及其取代物与甲烷的C-H键进行插入反应的势能面进行了系统地研究。用IRC方法对过渡态进行了验证。并用组态混合模型讨论了反应势垒(△E^≠)和反应热(△H)与SiXY的单-三态激发能△Est的关系。我们发现，硅烯SiXY的△Est是控制反应的主要因素，取代基的电负性越大，取代基越多，π电子给予越强，SiXY的△Est就越大，插入反应的活化能就越大，放热就越小。