卤代甲烷的键离解能与取代基效应

将芳环上取代基的电子效应参数引入卤代甲烷,以卤代甲烷分子Y-CHnX3－n(n＝0～3;Y＝H,F,Cl,Br,I;X＝F,Cl,Br,I)中Y—C键的标准键焓与中心C原子相键连原子的场/诱导效应之和ΣFi、共轭效应之和ΣRi以及诱导偶极之和Σ(α×F)为参数,建立了一个定量估算卤代甲烷分子中Y—C键离解能(BDE)的通用模型,BDE(Y—C)＝57.5460＋0.8855－101.0780ΣRi－64.8390ΣFi－10.1034Σ(α×F).对35个C—H,C—F,C—Cl,C—Br和C—I键回归分析结果表明,估算Y—C键离解能的精度在实验误差范围内.对外部数据集的预测结果表明,该模型具有较高的预测精度,可用于预测还没被实验测定的卤甲烷中Y—C键离解能.还对卤代甲烷中104个C—Y键的键离解能进行了预测.将芳环上取代基效应用于研究饱和体系化学键性能,有利于深入理解取代基效应对化学键性能的影响.