3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物修饰纳米结构TiO2薄膜电极的光电性能研究

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了铟锡导电玻璃(ITO)/3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCHT)膜电极以及ITO/TiO2/3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCHT)复合膜电极的光电转换性质.结果表明,CTCHT膜为p-型半导体,禁带宽度为2.44eV,价带位置为－5.73eV.研究表明在ITO/TiO2/CTCHT复合膜电极中存在p-n异质结,p-n异质结的存在能够使光生电子和空穴有效的分离,有效地降低了电荷的反向复合几率,提高了光电转换效率,CTCHT膜修饰ITO/TiO2电极可使光电流增强,使宽禁带半导体电极的光电转换效率得到改善.