微孔[Me4N]2HgGe4S10的溶剂热合成与表征

用溶剂热方法合成了[Me4N]2HgGe4S10,通过单晶X射线衍射,IR,DSC-TG手段对其进行了表征.结果表明,标题化合物属四方晶系,I-4空间群,晶胞参数a＝0.92687(8)nm,c＝1.43739(12)nm,V＝1.23484(18)nm3,Z＝2,MoKαλ＝0.071073nm,R1＝0.0570,wR2＝0.1374,空旷骨架结构由超四面体Ge4S10与HgS4四面体共用顶点连接而成,有机模板离子在一维孔道中.该化合物具有一定的热稳定性,在320℃发生分解形成GeS2.