聚乙撑二氧噻吩阳极降解的研究

研究了聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)膜在水溶液中的阳极降解过程.研究发现PEDOT的阳极过程可以分为p掺杂区[电位范围－0.3～0.5V(相对于饱和甘汞电极;vs.SCE)]、过渡区[电位范围0.6～1V(vs.SCE)]、过氧化区[电位范围1.2～1.6V(vs.SCE)]三个电位区域.用电化学阻抗谱法、循环伏安法、红外光谱技术、膜电阻测量以及电子自旋共振技术分别研究了PEDOT膜在这三个电位区域的行为.结果表明PEDOT膜在这三个电位区域的性质有明显不同.在p掺杂区PEDOT膜的官能团、共轭结构、导电性均保持,即在这个电位区发生可逆的掺杂/脱掺杂反应,膜几乎不降解.在过渡区和过氧化区,PEDOT膜均发生了降解.与传统的导电聚合物在高电位的阳极降解的过氧化过程不同,我们认为膜在较高电位(过渡区)发生一个驰豫过程,该过程使得膜的官能团改变,但是膜的共轭结构和导电性均保持;而在更高的电位区(过氧化区)膜的降解和一般意义的过氧化降解相同,此时膜的官能团、共轭结构、导电性均发生不可逆的破坏.