基底对电沉积制备ZnO纳米棒阵列的影响

采用恒电位电沉积方法,在未经修饰的ITO导电玻璃基底上通过控制实验条件制备出不同形貌的纳米ZnO结构,而在经过ZnO纳米粒子膜修饰后的ITO导电玻璃基底上,制备出透明、高取向、粒径小于30nm的ZnO纳米棒阵列.用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)以及透射光谱对制备出的ZnO纳米棒阵列的结构、形貌和透明性进行了表征.测试结果表明,ZnO纳米棒阵列的平均直径为21nm,粒径分布窄,约18～25nm,择优生长取向为[001]方向,垂直于基底生长.当入射光波长大于400nm时,ZnO纳米棒阵列的透光率大于95%.