一代树状碳硅烷液晶研究－端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含12个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的一代树状碳硅烷（D1）。并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征。D1为向列相与M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D1相行为K82N133I132N67K，D1熔点比M5降低30－43℃，D1清亮点比M5增加9－11℃，D1介晶相区比M5加宽39－54℃，观察到8条黑刷的树状物的高强向错（S＝＋2），D1清亮焓值略低于通常液晶n-i相变清亮焓值，原因是枝化的树状物核心不易完全变形为液晶态的各向异性结构。