三代树状碳硅烷液晶研究——端基含丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的三代树状碳硅烷(D3)液晶,并用元素分析,核磁共振,激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS),红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征，D3为向列相与M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D3相行为；K79N1261116N，D3熔点比M5降低33℃，D3清亮点比M5增加2℃，D3液晶态温区比M5加宽35℃。