Cu(100)表面吸附HCN和HNC的密度泛函研究

采用密度泛函方法，以原子簇Cul4为模拟表面，对氢氰酸(HCN)和异氰酸(HNC)在Cu(100)表面上不同吸附位的吸附情况进行了研究．结果表明HCN和HNC分别通过原子N和C垂直吸附在表面上时，顶位是其最佳吸附位，且是吸附能为18．5kJ·mol^-1和42．6kJ·mol^-1的弱吸附，计算结果与实验相符．C—N(HCN)键或N—C(NHC)键偏离垂直的分子轴线的吸附体系均不稳定．顶位吸附时HCN和HNC分子的C-N键振动频率均发生蓝移．