Sb掺杂SnO_2(ATO)纳米晶的水热合成和导电性能

以Sn和SbI_3为主要原料，在120-170℃温和水热条件下合成了具有导电能力的Sb掺杂SnO_2(ATO)透明导电纳米粉体，运用FT-IR，XRD，BET，TEM等手段对粉体的形成过程进行了分析表征。实验结果表明，所合成的纳米ATO粉体均为四方锡石结构，无其他杂相存在，晶粒大小在4-7nm之间，粉体呈单分散状态。比表面积在137-184m~2·g~(-1)之间，随水热温度的升高，晶粒长大，比表面积下降，粉体导电性能提高。该方法对于其他透明导电氧化物纳米粉体的合成具有借鉴意义。