合金化对VH2解氢性能的影响

采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,研究了C,Si,Ge,Sn,Pb合金化对VH2的电子结构和解氢性能的影响.计算结果显示C,Si,Ge,Sn,Pb合金化VH2后晶体模型的负合金形成热减少,费米能级Ef处的电子浓度N(Ef)增加,表明体系结构稳定性减弱,解氢能力增强|V-H之间重叠集居数和电子密度计算也表明V-H之间相互作用减弱,解氢能力增强|同时Mulliken集居数计算结果还显示掺杂以后解氢能力增强与V-d轨道Mulliken集居数减少,V-s轨道Mulliken集居数增加有关.