基于离子交换和表面引发接枝聚合制备阴离子表面印迹材料及其识别特性研究

建立了一种新的离子表面印迹(IIP)方法.使用偶联剂γ-氨丙基三甲氧基硅烷(AMPS)对微米级硅胶微粒进行表面改性,制得表面含有氨基的改性硅胶AMPS-SiO2.凭借离子交换作用,阳离子单体甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵(DMC)结合在模板离子磷酸根周围;改性硅胶AMPS-SiO2表面的氨基与溶液中的过硫酸盐构成氧化还原引发体系,使DMC及交联剂N,N'-亚甲基双丙烯酰胺(MBA)在硅胶微粒表面发生接枝交联聚合,从而实现了磷酸根离子的表面印迹,制得了阴离子表面印迹材料IIP-PDMC/SiO2.采用静态与动态两种方法,考察研究了IIP-PDMC/SiO2对PO43-离子的识别特性与结合性能.研究结果表明,离子表面印迹材料IIP-PDMC/SiO2对PO43-离子具有特异的识别选择性与优良的结合亲和性,相对于对比离子高锰酸根离子,IIP-PDMC/SiO2对PO43-离子的识别选择性系数为9.58.