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ISSN: 2333-9721
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DC/DC电源模块可靠性的研究

Keywords: DC/DC电源模块,多芯片组件MCM,可靠性,加速寿命试验

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Abstract:

对当前较广泛应用的DC/DC电源模块这一多芯片组件(MCM)的可靠性进行了研究.通过对模块使用可靠性的统计,利用ANSYS软件对模块表面温度分布的模拟得出影响其可靠性的关键器件为垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOS)和肖特基势垒二极管(SBD).使用以器件参数退化为基础的恒定电应力、序进温度应力加速寿命试验方法分别获得VDMOS和SBD的失效敏感参数为VDMOS的跨导gm和SBD的反向漏电流IR;VDMOS和SBD的平均寿命分别为1.47×107h和4.3×107h.分析表明,这2种器件参数的退化均与器件的Na+沾污和Si-SiO2界面的退化有关,同时SBD的参数退化还与Al-Si界面的退化有关.

References

[1]  侯振义,夏峥,柏雪倩,等.直流开关电源技术及应用[M].北京:电子工业出版社,2006:1-2.
[2]  赵同贺,刘军.开关电源设计技术与应用实例[M].北京:人民邮电出版社,2007:15-19.
[3]  李蓓.肖特基二极管相关材料生长及器件研究[D].杭州:浙江大学材料科学与工程系,2003.LI Bei.Investigation on materials growth and device fabrication of schottky barrier diodes[D].Hangzhou:Department of Materials Science and Engineering,Zhejiang University,2003.(in Chinese)
[4]  LI Zhi-guo,SONG Zeng-chao,CHENG Yao-hai,et al.A study on GaAs FET's failure mechanism and experimental technology of rapid evaluation of reliability[C]∥41st Annual International Reliability Physics Symposium.Dallas,Texas:IEEE,2003:576-577.
[5]  博弈创作室.ANSYS9.0经典产品高级分析技术与实例详解[M].北京:中国水利水电出版社,2005:1-2.
[6]  梁予,王社柱.电感电容损耗电阻的讨论[J].物理测试,2002(5):17-19.LIANG Yu,WANG She-zhu.The discussion of the loss resistance about inductor and capacitor[J].Physics Examination and Testing,2002(5):17-19.(in Chinese)
[7]  HANREICH G,NICOLICS J.Measuring the natural convective heat transfer coefficient at the surface of electronic components[C]∥IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference.Budapest,Hungary:Institute of Electrical and Electroncs Engineers Inc,2001:1045-1050.
[8]  余振醒.军用元器件使用质量保证指南[M].北京:航天工业出版社,2003.
[9]  卢其庆,张安康.半导体器件可靠性与失效分析[M].南京:江苏科学技术出版社,1980:179-183.
[10]  高光渤,李学信.半导体器件可靠性物理[M].北京:科学出版社,1987:310-312.

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