Fe-Si(≤8wt-%)-C(≤0.1wt-%)局部三元相图和等硅与等碳赝二元剖面

在具有实用意义的Fe-Si(≤8wt-％)系中,碳含量在万分之几范围内的变化,足以显著改变α,γ单相区和α+γ等双相区的存在范围,硅钢生产工艺参数均依据相图。至于借脱碳以发展柱状晶的特殊热处理工艺,更离不开相图的指引。所以长期来曾对Fe-Si-C三元系中各相界进行了大量的实验研究。但到目前为止,文献中尚缺少有关此成分范围的较详细而精确的相图可借鉴。为此,我们绘制了Fe-Si(≤8wt-％)-C(≤0.1wt-％)局部三元三维相图。同时介绍,借发展柱状晶特殊热处理工艺来校核γ和γ+α存在温区的有效方法。最后,在附录中分别给出一系列等硅和等碳赝二元剖面,相应的成分间隔各为1wt-％Si和0.02wt-％C。