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原位合成MoSi2－SiC复合材料在500℃的氧化行为
DOI: 10.3724/SP.J.1037.2013.00527
Keywords: 原位合成 ,MoSi2－SiC复合材料 ,低温氧化行为 ,pest现象
Abstract:
研究了不同SiC体积分数原位合成MoSi2－SiC复合材料在500℃的氧化行为.经1000h氧化的结果表明复合材料的氧化抗力明显好于单一MoSi2,原位合成复合材料的氧化抗力好于传统的热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料(外加复合材料),复合材料氧化1000h后未发生pest现象.其氧化动力学曲线分为孕育期、快速氧化期和稳态氧化3个阶段.氧化膜的相组成为MoO3,非晶SiO2和β－SiC,材料的氧化过程主要是O2与MoSi2的作用,SiC未发生氧化.氧化5,10和20h后样品表面形貌观察结果表明材料的氧化优先在相界处发生,初生氧化物以无定形态存在;随着氧化的进行,逐渐形成MoO3晶须和非晶SiO2为主的团絮状氧化物;MoO3晶须优先在表面凸凹不平处形核并长大.
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