姬松茸镉累积特性研究：Ⅱ镉胁迫对菌丝及子实体生长发育的影响

通过测定菌丝生长速度和子实体中镉含量，研究重金属Cd胁迫对姬松茸菌丝和子实体生长发育的影响。结果表明，菌丝生长速度随镉浓度的增加而明显受到抑制，EC50为20.2375mg·kg-1。姬松茸子实体镉的富集随培养料中外源镉浓度的增加而明显递增，符合MICHAELISMENTEN曲线回归模型；当培养料中镉添加量低于10mg·kg-1，子实体内镉的富集系数相同；当外源镉浓度超过10mg·kg-1，富集系数降低，培养料外源镉浓度至80mg·kg-1，其富集系数降至12；镉浓度超过10mg·kg-1，子实体数量显著减少；镉浓度在40mg·kg-1以上，菌丝体发育为畸形菇。因此初步认为，姬松茸子实体生长发育耐镉的临界值为40mg·kg-1。不同浓度镉胁迫其菌盖镉的富集量均比菌柄高出3倍左右。