冷等离子体处理对大葱种子发芽特性的影响

运用冷等离子体种子处理技术对大葱种子进行小于20s非电离幅射处理，研究该技术对于大葱种子发芽势和发芽率的影响。试验结果表明，经不同功率冷等离子体处理后，种子的发芽势和发芽率有明显变化。冷等离子体处理后放置20d进行发芽试验，当处理功率为240W时种子的发芽势和发芽率提高最大，分别比对照提高10.6%和5.2%。冷等离子体处理后放置20d和放置4d进行发芽试验，大葱种子的发芽势和发芽率都比对照有明显改变，并且具有一致的规律性。