软X射线投影光刻技术

引言本世纪八九十年代大规模集成电路芯片的制造技术取得了惊人的发展,由此带来的信息革命冲击着社会的每个角落。大规模集成电路芯片制造技术的关键是光刻技术,它的进步决定着集成电路芯片制造技术的发展。在过去的十几年间,每隔3～4年集成电路就更新换代一次,这表现为集成电路中最小刻线宽度的逐渐缩小。在1995年,人们已经可以生产出最小线宽达0．35μm、容量达64M的动态随机存储器。美国半导体协会光刻计划表明,到2004年人们将可以生产最小线宽达0．13μp、容量达4G的动态随机存储器。