CeO2掺杂ZnO薄膜制备和紫外吸收性能

研究射频磁控溅射技术制备的CeO2掺杂ZnO薄膜的结构及紫外光吸收性能。结果显示，ZnO（002）晶面的晶面间距增大，由于晶格畸变的增加导致薄膜中的内应力也相应增加，随着CeO2掺入量的增加，引起ZnO晶格的进一步松弛，因此ZnO将呈混晶方式生长；由于ZnO的晶粒同时有多个生长方向，因而抑制了ZnO晶粒（002）取向生长度的速度，导致了晶粒尺寸的逐渐降低,薄膜的C轴择优取向性随CeO2含量的升高而降低。CeO2掺杂样品与纯ZnO薄膜的吸收谱的形状没有大的改变，吸收峰形基本一致，掺CeO2使薄膜的紫外吸收显著增强，吸收边明显向短波方向移动，吸收边的斜率有微小提高，吸收峰宽度略微增大，吸收强度增加。