ZnO 空穴缓冲层对OLED 性能的影响

本文利用无机材料ZnO作为空穴缓冲层,制备了结构为ITO/ZnO/NPB/Alq3/Al的有机电致发光器件。用计算机控制的KEITHLEY2400-PR655系统测量器件的电压鄄电流鄄亮度特性。研究结果表明,当ZnO薄膜的厚度为2nm时,器件的电流效率可达1郾65cd/A,最大亮度为3449cd/m2;而没有加入缓冲层的同类器件,最大亮度仅为869.7cd/m2,最大电流效率为0.46cd/A。由此可以看出,加入ZnO空穴缓冲层后,最大亮度提高3.97倍,最大电流效率提高3.59倍。分析认为适当厚度的ZnO薄膜降低了发光层空穴的浓度,提高了电子和空穴的复合率,从而降低了电流密度,提高了器件的电流效率,改善了器件性能。