吉祥草炭疽病菌生物学特性研究

以吉祥草炭疽病菌Colletotrichumgloeosporioides为对象，研究了其生物学特性和最佳防治药剂。结果表明PDA为较适培养基，病原菌生长适温为28℃，致死温度为50℃；在pH为4.0～10.0的范围内均能生长，最适pH为6.0；光照条件以24h/0h（光/暗）为佳。在供试3种药剂中，10%腈菌唑对病原菌抑菌效果最好，在推荐使用浓度0.3mg/L下，相对抑菌率达到91.4%；而45%的石硫合剂抑菌效果最差，在推荐使用浓度6.67mg/L下，其抑菌率仅为8.0%。