TiB2等C32型化合物价电子结构分析

根据余瑞璜提出的“固体分子的经验电子理论”，在徐万东和余瑞璜处理过渡金属化合物晶体结构及熔点理论基础上，研究ＴｉＢ２等高性能材料电子结构，发现ＩＶＢ，ＶＢ族元素的硼化物熔点都比相应的单质有较大提高，原因是组成元素的杂阶升高，单链米距随元素的硼化物熔点都比相应的单质有较大提高，原因是组成元素的杂阶升高，单链半距随杂阶升高而逐渐下降，其杂阶组合与结合能及熔点的密切联系，表明用经验电子理论进行电子结构分