高扇入与/或逻辑的设计与实现

针对高性能浮点乘加部件中的应用需求，全定制设计了高性能52位或门和108位与门。设计中使用HSPICE工具进行电路模拟，模拟时使用CSM0.13μm最慢工艺参数，电源电压为1.2V，温度为25℃。根据各种实现方式的电路特性，使用相应的理论上电路最大延时的输入激励进行模拟，输入激励的频率为1.25GHz，斜率为输入激励周期的10%。输出延时是每个输入周期中输入电压的50%到输出电压的50%之间的时间，最大延时是所有输入数据中的最长延时。根据不同的逻辑类型，设计实现了5种52位或门；选取了静态互补CMOS逻辑、npCMOS逻辑两种直接实现的108位与门，并选取了多米诺逻辑间接实现方式。对比模拟结果可以得到，全定制设计实现的52位或门和108位与门在速度、功耗和面积方面都具有较优的综合性能。