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本文定性地讨论了电阻炉内晶体的生长过程,结果发现,只要适当地控制熔体中的强迫对流F_j和自然对流F_n,在一定的纵横比下,保持<120°,从而使得熔体中的散射粒子逃离薄边界层,减少了浮获它的几率。
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