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重庆大学学报 2009
一种高线性GaAs pHEMT宽带低噪声放大器的设计DOI: 10.11835/j.issn.1000-582X.2009.09.013 Keywords: 低噪声放大器,噪声系数,无线通信系统,赝配高电子迁移率晶体管,增益,群延时 Abstract: 针对互补金属氧化物半导体工艺在高频时性能差的缺点，基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管器件，设计了一种用于无线通信系统的宽带低噪声放大器，宽带低噪声放大器的设计采用负反馈来获得平坦的增益和较低的输入输出反射系数。电路版图设计好后利用AdvancedDesignSystem2005进行仿真。仿真结果表明,该放大器在0.3～2.2GHz频带内，增益高于12dB，且变化小于3dB;噪声系数在1.04～1.43dB之间，输入输出反射系数均小于-10dB，群延时特性在整个频带内接近线性，且在整个频带内无
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