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大连理工大学学报 2007
Ge2Sb2Te5薄膜相变行为及其对光存储特性影响, PP. 781-785 Keywords: Ge2Sb2Te5薄膜,射频磁控溅射,相变,光学特性,激光辐照 Abstract: 采用射频磁控溅射方法，在石英玻璃基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.X射线衍射分析表明：室温沉积的薄膜为非晶态；170℃真空退火后，薄膜转变为晶粒尺度约为17nm的面心立方结构；250℃退火导致晶粒尺度约为40nm的密排六方相出现.研究了室温至450℃下薄膜相变的热力学性能.差热分析显示：薄膜的非晶相向fcc相转变的相变活化能为(2.03±0.15)eV；fcc相向hex相转变的相变活化能为(1.58±0.24)eV.薄膜反射率测量表明：面心相与非晶相的反射率对比度随着波长
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