压缩X因子导数光谱法测定痕量锗

本文采用压缩X因子导数光谱技术实现了宽峰体系(△λ1/2≥36nm)灵敏度的大幅度提高,提出了测定痕量锗的力法.在0.72mol/LH2SO4和3.0mol/LH3PO4的混酸介质中,锗-水杨基荧光酮(SAF)-OP三元显色体系的压缩X因子四阶导数光谱摩尔响应系数达1.89×106L·mol-1·cm-1,灵敏度比常规光度法高12.4倍;最低检出限为0.00033mg/L,比常规光谱法低4倍,选择性也进一步提高,绝大多数离子不干扰测定.在选定条件下,导数响应值与锗浓度在0.0008～0.0040mg/L范围内呈良好的线性关系(r=0.99997).该法结合微量技术用于地球化学样品中痕量锗的测定,结果与推荐值相吻合.