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分析化学 2013
量子点CdS电化学发光传感器对DNA损伤研究DOI: 10.3724/SP.J.1096.2013.20935, PP. 805-810 Keywords: 硫化镉量子点,电化学发光,DNA损伤,全氟辛烷磺酸 Abstract: 研制了用于研究DNA损伤的电化学发光传感器。在0.1mol/LCdCl2和0.02mol/LNa2S2O3(0.1mol/LHCl调节至pH2~3,50℃)溶液中,采用循环伏安法(CV)在玻碳电极表面原位沉积硫化镉纳米晶,构建了硫化镉纳米晶修饰的电极界面(CdSQDs/GCE);以半胱氨酸为连接剂,利用羧氨键(CONH)将氨基修饰的短链DNA组装到CdS表面(DNA/CdSQDs/GCE)。以H2O2为共反应剂,利用电化学发光方法研究了全氟辛烷磺酸对DNA的损伤。结果表明,全氟辛烷磺酸温浴后的双链DNA修饰硫化镉的电化学发光信号强度介于单链和双链DNA之间,且随着全氟辛烷磺酸浓度的增加,电化学发光信号值变大,同时电化学阻抗曲线显示全氟辛烷磺酸致电极界面的电子传递性能降低。可以推测,PFOS可能导致DNA链的扭曲或断裂。
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