N-(3-二茂铁乙酰胺基)丙基吡咯聚合物修饰的葡萄糖电极的研究
, PP. 418-422
Keywords: N-(3-二茂铁乙酰胺基)丙基吡咯,聚合物,修饰电极,循环伏安法,葡萄糖电极
Abstract:
于铂电极上修饰一层N(3二茂铁乙酰胺基)丙基吡咯聚合物膜,应用循环伏安法对聚合物的电化学性能进行研究,发现N位取代吡咯聚合物的电活性大大降低;聚合物中的二茂铁基团氧化还原性能稳定,制成酶电极后,在+0.2V对葡萄糖有一明显的催化峰,而对抗坏血酸、尿酸则几乎没有响应.该葡萄糖电极性能稳定,连续工作十天,响应值基本不变
References
[1] | 1W idrigCA,RyanMD,EwingTG.Dynamicelectrochemistry:Mothodologyandapplication,AnalChem.,1990,62:1R2王美全,方惠群,史坚,陈洪渊.功能聚吡咯膜修饰电极的制备及其应用.分析化学,1993,21(4):4743FouldsNC,LoweCR.Immobilizationofglucoseoxidaseinferocenemodifiedpyrrolepolymers.Anal.Chem.,1988,60:24734RosenthalMV,SkotheimT,WarenJ.Ferocenefunctionalizedpolypyrrolefilms.J.Chem.Soc.Chem.Commun.,1985,3425SchalkhammerT,MannBuxbaumE,PitnerF,UrbanG,Electrochemicalglucosesensorsonpermselectivenonconductingsubstitutedpyrolepolymers.SensorsandActuatorsB,4(1991)2736田承云,陈静,张黎.吡咯衍生物的合成及表征.上海师范大学学报,1998,
|
Full-Text