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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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次磷酸盐氧化反应历程的研究
, PP. 36-42
Keywords: 次磷酸盐,氧化,循环伏安法
Abstract:
对次磷酸盐体系循环伏安曲线－０．４Ｖ（ＳＣＥ）处氧化峰（Ⅱ峰）的特性及本质进行深入研究．结果表明，Ⅱ峰与Ⅰ峰直接相关，对应于活性吸附态的偏亚磷酸根氧化生成磷酸根的电极过程，Ⅱ峰是偏亚磷酸根脱出的Ｈ－ａｄｓ离子在电极上发生氧化的结果．确定了吸附态偏亚磷酸根转变为惰性亚磷酸根反应的控速步骤为偏亚磷酸的脱附过程，并估算了脱附速度常数．最后给出可能的吸附态偏磷酸根氧化生成磷酸根的电极历程及总的次磷酸根氧化机制模型．
| [1] | 1V anDenMeerakkerJEAM．Onthemechanismofelectrodeplating－Ⅱonemechanismfordiferentreductants．J．AppliedElectrochem．，1981，11：3952金莹，孙冬柏，杨德钧．化学镀镍反应沉积机理综述第三届全国化学镀会议论文集，江苏，1996：46～533姚允斌，解涛，高英敏编物理化学手册上海：上海科学技术出版社，1985：11344傅献彩，沈文霞，姚天杨编物理化学（第四版）北京：高等教育出版社，1990：9615（西德）StrehlowH，KnocheW．著，李学同译化学松弛基本原理．北京：国防工业出版社，1989：5，62
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