刺激中缝背核调制小脑间位核神经元电活动（英文）

刺激中缝背核（dorsalraphenucleus,DR）可以引起小脑间位核（interposednucleus,IN）神经元抑制、兴奋和双相（抑制-兴奋和兴奋-抑制）3种不同类型的反应，其中以抑制反应为主（76.0%），多数细胞的反应潜伏期<30ms。IN细胞的自发放电频率为5—120Hz,自发放电频率高的神经元群体对DR刺激的反应率却比自发放电频率低的群体低。静脉注射5-HT[2/1C]受体阻断剂methysergide可以阻断IN细胞对DR刺激的抑制反应（85.7%）。这些结果提示，中缝-小脑5-HT能纤维可能通过对小脑深部核团细胞电活动的调制作用参与小脑的感觉运动整合过程。