氧在银／二氧化硅催化剂上的超高真空程序升温脱附

？研究了氧在Ag／SiO2催化剂上的超高真空程序升温脱附．结果表明，脱附谱中出现了对应于表面分子氧（Tp＝340K）、体相氧（Tp＝570K）和次表层氧（Tp＝700～800K）的脱附峰．由于催化剂在制备过程中经过高温焙烧，因而其表面原子氧浓度低，脱附谱中未出现原子氧的脱附峰．高温焙烧还可使表面缺陷浓度增大，有利于原子氧向体相扩散，形成体相溶解氧，也有利于体相氧向表面扩散，所以对应于体相氧的570K脱附峰较强．体相氧和次表层氧向表面的扩散遵循不同的扩散机理．