纳米ZnO-TiO2复合半导体的La3+改性及其光催化活性

？采用溶胶-凝胶法对纳米ZnO-TiO2复合半导体进行了La3+改性,用热重-差示扫描量热、扫描电镜、X射线衍射和拉曼光谱分析了La3+/ZnO-TiO2的晶化温度和微晶结构,并以活性艳红K-2BP为模型降解物,在固定催化剂投加量和通气量条件下考察了La3+掺杂量和煅烧温度对La3+/ZnO-TiO2光催化活性的影响.结果表明,La3+掺杂使ZnO-TiO2晶型转变温度提高,衍射峰蓝移且峰强度减弱,晶粒进一步减小.La3+掺杂量为0.5%,煅烧温度为500℃,40min时对活性艳红K-2BP的降解率为100%,表观反应速率常数k值达到了0.182min-1,为不掺La3+的ZnO-TiO2复合半导体的1.4倍.