斜位电流注入磁共振电阻抗成像（MREIT）与硬件设计

现有的磁共振电阻抗成像(MREIT)方法只适用于主磁场平行水平面的磁共振系统，本文中提出了一种新的MREIT方法即斜位电流注入磁共振电阻抗成像，同时适用于主磁场垂直于水平面的磁共振系统.硬件系统以磁共振主控计算机为控制中心，将MRI与EIT有机结合于一体：(1)能够测量注入电流在成像体内部感应磁场的磁感应强度B(x,y,z)；(2)向成像体注入电流；(3)满足时序匹配要求；(4)测量边界电压.文章还展示了利用此装置所得的初步实验结果.