高功率1.55μm半导体激光器

？1.55μm半导体激光器有很多突出的优点，但普通的双异质结激光器功率小，且对温度很敏感。本文将大光腔结构形式引入1.55μmGaInAsP/InP半导体激光器中，用液相外延技术研制成功了脉冲峰值功率超过2W的1.55μmGaInAsP/InP半导体激光器。普通双异质结构激光器特征温度To为50～70K[1];而本文研制的大光腔结构为100～140K。激光器的寿命超过1000h。