硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究

？本文概述了硅锗(SiGe)技术发展趋势及优势，阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术，硅锗异质结双极晶体管(SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能，低廉的成本，可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力。硅互补型金属氧化物半导体(SiCMOS)工艺因其低廉的成本，较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础，而硅锗互补型金属氧化物半导体／硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeCMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺的优点，又有良好的高频性能，特别是SiGeHBT的出现是SiGe器件的工作频率可直接应用到微波频段，而其成本和噪声性能是砷化镓(GaAs)材料无法比拟的。随着对SiGeHBT，硅锗场效应晶体管(SiGeFET)的研究，SiGe器件的高频性能，低噪声性能，功率和线性性能将得到展现，为进一步降佤收发信机的成本，提高其集成度打下了基础，展现了SiGe技术的无线领域广阔的应用前景。