斯蒂芬酸铅的半导体桥点火试验研究

？通过对半导体桥（SemiconductorBridge，SCB）装药条件下发火电压、发火电容及积分能量对点火时间影响的对比，结合不同点火条件下，桥体两端电压曲线、电流曲线和电流二次峰出现时间的比较，研究了斯蒂芬酸铅（LTNR）的半导体桥点火机理。试验发现特定的点火电路下，SCB点火时间存在一个临界值，且SCB等离子体形成的快慢直接影响点火时间。在充电电压从大到小的点火过程中，在桥与药剂之间存在2种不同的点火机理，在较高点火电压下为等离子体点火机理，在低电压为热点火机理。