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, PP. 167-169
Keywords: 光学,半导体激光器,氧化物限制,量子阱,垂直腔面发射激光器
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?通过对垂直腔面发射激光器(VCSEL)台面结构的深入研究,提出了新型环形分布孔结构,并制作了这种新结构器件。测试结果表明这种新结构器件不仅表现了良好的工作特性,而且输出功率也提高到环形沟槽结构的1.34倍。
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