局部水分胁迫对玉米根系生长的影响

采用分根法进行玉米水培试验,研究局部水分胁迫对玉米根系生长的影响。设4个水分胁迫水平:CK,0.2MPa,0.4MPa,0.6MPa,在整个根系经受一定的水分胁迫之后对部分根系复水处理,测定局部供应后0h、6h、12h、1d、3d、5d、7d、9d等不同时期各部分根系的面积、长度及干重。结果表明,各胁迫程度均表现为,与对照相比,复水侧根区的根系面积、根长与根干重出现了明显增长,且始终显著大于持续胁迫侧根区,且随处理时间延长更加明显。不同胁迫程度下复水侧玉米根系的增长幅度不同。水分胁迫预处理后,0.2MPa水平下,复水侧根区根系的面积、长度与干重以及整个根区总根长、总面积均可以达到甚至高于对照水平,其他处理均显著低于对照。轻度胁迫后复水的根区根系产生明显的补偿效应。适度胁迫后复水有利于作物根系总面积增长,但对总根长、根干重无显著影响。根系补偿效应与胁迫强度及复水的时间有关。