低气压下直流绝缘子串污闪过程中局部电弧发展特性

绝缘子污秽闪络事故严重威胁电力系统的安全可靠运行，目前国内外对污闪机理的研究主要是以平板模型为基础的，而研究污闪机理的关键是研究局部电弧形成后如何发展成完全闪络。开展低气压下绝缘子串直流污闪过程中局部电弧发展研究，结果表明：低气压下绝缘子串直流污闪过程中局部电弧发展中存在飘弧现象，即局部电弧由沿面电弧和空气间隙电弧2部分组成；低气压下局部电弧的发展主要决定于静电力和热浮力，静电力和热浮力随气压变化的规律存在差异，使得低气压下染污绝缘子串局部电弧的飘弧更严重；低气压下染污绝缘子串直流污闪过程中局部电弧的发展缓慢，局部电弧发展长度为绝缘子串闪络距离的60%以内时，局部电弧的发展速度小于10m/s，在最后闪络阶段，局部电弧的发展速度剧增至30~80m/s，绝缘子串的最终闪络不是电击穿的原因。