适用于复杂电路分析的IGBT模型

推出一种适用于复杂电路仿真分析的绝缘栅双极性晶体管(insulatedgatebipolartransistor，IGBT)模型。模型分阶段模拟IGBT的开关瞬态过程，并采用曲线拟合的方式实现对IGBT稳态特性的建模。模型具有计算速度快、参数提取容易、物理概念明确的特点。描述模型的等效原理、构成和参数提取过程，并在PSIM软件包下建立其等效电路。以FF300R12ME3型IGBT为例给出了模型参数，并将模型应用于IGBT的开关特性分析、缓冲吸收电路设计以及IGBT的并联运行分析。仿真和实验结果对比证明了该模型的有效性。