场终止型绝缘栅双极型晶体管的开关瞬态模型

新一代场终止型(fieldstop，FS)绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartransistor，IGBT)的仿真模型目前都是采用传统穿通型(punchthrough，PT)IGBT的建模方法，由于FS结构与PT结构在厚度、掺杂浓度等方面都存在很大的不同，不可避免的会存在较大的偏差。在对已有PT模型进行理论分析和公式推导的基础上，根据FS型IGBT的结构特点和工作机制，在场终止层内采用了大注入的假设条件，同时考虑基区内载流子的复合作用，提出了一种改进的FS型开关瞬态模型。通过2种模型仿真波形与实测波形的比较，验证了该模型具有更高的准确性。