用模板法制备取向Si纳米线阵列

用化学气相沉积(CVD)技术,在阳极氧化铝模板的有序微孔内,制备了高度取向的多晶Si纳米线阵列.用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)分别观察了模板及Si纳米线阵列的表面、断面形貌及单根Si纳米线的显微结构,用X射线衍射仪(XRD)分析了Si纳米线阵列的晶体结构.此方法制备出的Si纳米线阵列生长方向高度有序,直径和长度易于控制,较少发生周期性不稳定生长而产生的弯曲和缠绕现象,相对其他方法具有工艺简单、成本低、可控性强、易实现大面积生长等优点.