氮离子注入SiO2单晶磨损机理的SEM研究

利用氮离子注入技术改善ＳｉＯ２昌表面的摩擦磨损性能，并用扫描电子显微镜研究了离子注入前、后的ＳｉＯ２单昌在干摩擦条件下与Ｓｉ３Ｎ４球对摩时的磨损机理，研究结果表明，经过１＊１０＾１７Ｎ＾＋／剂量的氮离子注入后，ＳｉＯ２单昌表面的耐磨性能比注入前提高了近４个数量级，氮离子注入使ＳｉＯ２单晶表层形成ＳｉＯ２微晶态与非晶态共存混合态结构，其具有良好的抗塑变和塑性剪切能力，从而使ＳｉＯ２单晶的抗磨性能得到