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环境科学学报 1988
烟草头孢霉F2抗氯化汞特性的研究, PP. 72-78 Abstract: 对抗汞真菌——烟草头孢霉F2的某些抗汞特性进行了研究。结果表明,该菌株在含500mg/LHgCl2的土豆汁葡萄糖培养基中生长良好,其对HgCl2的抗性与培养基的起始pH值明显相关。某些巯基化合物可促进该菌的抗汞能力。二价金属阳离子对该菌抗汞能力有不同的效应。在不同的培养基上,该菌对汞的吸收能力不同。在一定的条件下,菌体吸收的汞可释放入无汞培养液和磷酸缓冲液中。经透射电镜和扫描电镜观察表明,该菌分生孢子在萌发前明显膨胀,细胞壁、细胞核及线粒
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