电子束蒸发Al2O3/SiO2复合薄膜电学性能的研究

利用离子辅助电子束蒸发技术,在玻璃基底上以交替沉积的方式制备了Al2O3/SiO2叠层复合薄膜,单层介质膜膜厚分别选取54和16 nm,总厚度为560 nm.采用步进法测试得到金属电极/复合绝缘膜/金属电极(MIM)结构的I-V特性曲线,具体成分为CrCuCr/(Al2O3/SiO2)8/CrCuCr,相应的厚度为80 nm/560 nm/80nm,复合薄膜的平均击穿场强为2.7 MV.cm-1,较好地满足FED后栅结构中对介质膜耐压特性的要求.结合理论分析发现,Al2O3/SiO2复合薄膜在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制,其低场强区服从准欧姆定律,随着场强升高,在不同的阶段分别以肖特基效应,普尔-弗兰凯尔效应和F-N效应为主.