浸没式光刻机内薄边界浸液流动的仿真分析

硅片扫描速度的不断提升是45nm以下浸没式光刻的发展趋势，由此带来的液体泄漏问题日益凸显. 降低液体边界厚度可有效提高抑制泄漏的表面张力，却改变了传统浸液流场的应力分布及流动规律. 基于计算流体动力学方法，建立浸液流场的三维数值模型，在液体下界面的硅片处于高速扫描状态下，研究薄边界浸液流动的压力特征及液体更新效率，相关结果与已有试验吻合性好. 研究结果显示，边界厚度取0.3~0.5mm时可取得最佳的抗泄漏效果，同时硅片沿压差流方向运动时边界压力最小且液体更新稳定，研究结果对增强光刻过程的可靠性和密封性提供了参考依据.